半導體金屬薄膜現場快速評價費米能級測量儀

半導體金屬薄膜現場快速評價費米能級測量儀

1. 核心規格

• 測量方式：開爾文法（振動電容法）
• 能量范圍：3.4–6.2 eV（以功函數 5 eV 的金標樣校準時）
• 重復再現性：≤ ±0.02 eV（標準偏差）
• 單次測量時間：≤ 10 s（金屬樣品典型值）
• 有效測試面積：φ10 mm
• 樣品形態：塊體、薄膜、粉末均可；大 30 mm × 30 mm，厚度無特殊限制
• 測量環境：大氣（10–35 °C，≤ 60 %RH），無需真空或惰性氣體保護

2. 系統構成

• 主機：內置振動探針、鎖相放大器、能級掃描光源及控制電路
• 參考電極：鍍金不銹鋼探針，可單獨更換
• 軟件：實時顯示費米能級（eV）及功函數變化曲線，可導出 CSV
• 數據存儲：內置 1 000 組測量值，支持 USB 閃存拷貝

3. 典型應用

• 半導體晶圓、太陽能電池、FET 器件的表面費米能級分布測繪
• 金屬/氧化物催化劑在反應前后的功函數變化追蹤
• 剛成膜后金屬表面隨時間氧化的原位監測
• 材料界面接觸電位差（CPD）與腐蝕電位關聯研究

4. 安裝與維護

• 供電：AC 100 V 50/60 Hz，功率約 30 W
• 外形/重量：235 × 330 × 408 mm（W×H×D，顯微鏡臂收起時），約 12 kg
• 年度校準：使用附帶金標樣進行兩點校準（5.0 eV 與 4.2 eV），無需返廠
• 耗材：探針壽命 > 5 000 次，臟污可用無水乙醇棉簽輕擦